收藏本站
IDT71321SA/LA and IDT71421SA/LA
High Speed 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V CC = 5.0V ± 10%)
71321SA
71421SA
71321LA
71421LA
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LO |
Parameter
(1)
(1)
Test Conditions
V CC = 5.5V, V IN = 0V to V CC
CE = V IH , V OUT = 0V to V CC ,
Min.
___
___
Max.
10
10
Min.
___
___
Max.
5
5
Unit
μA
μA
V CC - 5.5V
V OL
V OL
V OH
Output Low Voltage (I/O 0 -I/O 7 )
Open Drain Output
Low Voltage ( BUSY / INT )
Output High Voltage
I OL = 4mA
I OL = 16mA
I OH = -4mA
___
___
2.4
0.4
0.5
___
___
___
2.4
0.4
0.5
___
V
V
V
NOTE:
1. At Vcc < 2.0V leakages are undefined.
Data Retention Characteristics (LA Version Only)
2691 tbl 05
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
Test Condition
Min.
2.0
Typ. (1)
____
Max.
0
Unit
V
I CCDR
t CDR (3)
t R (3)
Data Retention Current
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
V CC = 2.0V, CE > V CC - 0.2V
V IN > V CC - 0.2V or VI N < 0.2V
COM'L
IND
____
____
0
t RC (2)
100
100
____
____
1500
4000
____
____
μA
μA
ns
ns
NOTES:
1. V CC = 2V, T A = +25°C, and is not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed but not production tested.
Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
2691 tbl 06
V CC
4.5V
V DR ≥ 2.0V
4.5V
CE
t CDR
V DR
t R
V IH
5
6.42
V IH
2691 drw 04
,
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IDT71342LA25PFI IC SRAM 32KBIT 25NS 64TQFP
IDT7134LA25JI IC SRAM 32KBIT 25NS 52PLCC
IDT7140LA55C IC SRAM 8KBIT 55NS 48DIP
IDT7142LA55C IC SRAM 16KBIT 55NS 48DIP
IDT7143LA25G IC SRAM 32KBIT 25NS 68PGA
IDT7164L25YGI IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ
IDT71T75802S200PFGI IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP
IDT71T75902S85BGG IC SRAM 18MBIT 85NS 119BGA
相关代理商/技术参数
IDT71321LA20TFG8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 64STQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71321LA25J 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71321LA25J8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71321LA25JGI 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 52PLCC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71321LA25JGI8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 52PLCC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71321LA25JI 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71321LA25JI8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71321LA25PF 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI